Coherencia espacial implementada espontáneamente en vertical. - Asistente de soldadura Co., Ltd de Jinan

Scientific Reports volumen 12, número de artículo: 21629 (2022) Citar este artículo

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Presentamos una matriz de puntos espacialmente coherente autoinducida que consta de catorce unidades de modos de emisión de superficie de cavidad vertical que exhiben espectros espacialmente uniformes. Se logra un ancho total del haz de 47,5 µm y una emisión estrecha de 0,5° utilizando una cavidad oblonga encerrada con un espejo superior plano, un espejo inferior cilíndricamente curvado y una faceta lateral. En particular, terminar el lado de la cavidad con una faceta perpendicular mejora la propagación horizontal, que se acopla con la resonancia vertical en cada punto, similar al caso de los láseres maestros en láseres bloqueados por inyección que deslocalizan los modos. Los láseres semiconductores convencionales, los láseres que emiten bordes y los láseres que emiten superficies de cavidad vertical tienen una cavidad de Fabry-Pérot; además, la emisión y la resonancia están en direcciones idénticas, lo que limita el ancho del haz a micrómetros. Aunque la estructura actual tiene el mismo esquema de propagación, la faceta en ángulo recto sincroniza los modos y expande drásticamente el ancho del haz.

El origen de los láseres se remonta a la predicción de Einstein sobre la emisión estimulada1, según la cual la inversión de población permite la emisión de láser. La mayoría de los investigadores de láseres semiconductores creen que la investigación con láser conducirá a mejores formas de confinar los portadores y la luz en un área pequeña. En consecuencia, los láseres semiconductores ampliamente utilizados, como los láseres emisores de bordes (EEL)2,3 y los láseres emisores de superficie de cavidad vertical (VCSEL), tienen un alto confinamiento de luz y cinturas de haz pequeñas (aproximadamente por debajo de diez micrones). En consecuencia, estos láseres tienen consumos de energía insignificantes y se integran dentro de dispositivos electrónicos industriales o de consumo como unidades de disco óptico, ratones de computadora, impresoras láser, proyectores, etc.4. Sin embargo, este alto confinamiento conduce a amplios ángulos de emisión debido a la difracción5. En este contexto, estos láseres requieren componentes ópticos adicionales para estrechar el haz de emisión para muchas aplicaciones industriales, lo que aumenta el tamaño y el coste de fabricación de todo el sistema. Por lo tanto, es de gran interés encontrar nuevas estructuras de cavidades que permitan emisiones estrechas con un pequeño consumo de energía.

Los láseres de emisión superficial de cristales fotónicos (PCSEL)6 son uno de los candidatos que cumplen los requisitos antes mencionados. La luz en los PCSEL se propaga en la dirección del plano para lograr una resonancia modulada por una matriz 2D periódica de orificios de aire de tamaños inferiores a las longitudes de onda. Los agujeros periódicos dirigen los fotones que viajan en el plano en dirección vertical. Este dispositivo permite haces de ancho submilimétrico con un ángulo de emisión muy estrecho de 0,1° y salidas de clase supervatio7. Una alternativa son los conjuntos de láseres bloqueados por inyección, en los que un único láser (el láser "maestro") induce coherencia entre un conjunto de láseres (los láseres "esclavos")8,9. Esto sincroniza la fase de los conjuntos VCSEL para emitir haces relativamente estrechos10. Estos conjuntos han mostrado resultados extraordinarios al cambiar drásticamente el ancho de los haces en comparación con el logrado con los láseres convencionales de un solo emisor. Sin embargo, tales conjuntos implican varios desafíos industriales. Por ejemplo, la fabricación en masa de PCSEL es difícil debido a sus estructuras por debajo de la longitud de onda. La gran superficie correspondiente a la inyección actual complica la gestión del calor. Además, los láseres bloqueados por inyección encuentran una mayor complejidad con la existencia de dos láseres no monolíticos.

Una serie coherente de láseres autoacoplados es otra posible solución al problema antes mencionado11. Este enfoque crea coherencia entre los láseres al construirlos cerca uno del otro. Estos conjuntos se han investigado intensamente con VCSEL utilizando acoplamiento óptico basado en campos evanescentes y luz difractada emitida por cada unidad láser. Pueden funcionar sin estructuras de sublongitud de onda o múltiples láseres no monolíticos. La disposición de los emisores en una configuración de anillo ensancha la cintura del haz12, reduce la generación de calor al vaciar la parte interior rodeada por estos emisores y reduce las emisiones. Un inconveniente restante de una matriz coherente autoinducida es la complejidad para establecer el acoplamiento. Por ejemplo, el intervalo entre los VCSEL debe diseñarse cuidadosamente para acoplarse de manera eficiente al predecir la distribución espacial de los campos evanescentes. Además, es difícil establecer un nivel actual en el que los emisores se comporten de manera suficientemente uniforme para lograr coherencia. Por lo tanto, controlar los VCSEL individuales es un desafío. A veces, es necesario proporcionar varios cableados a emisores de luz individuales. Sin embargo, aumentar el número de emisores puede deteriorar exponencialmente su control. Por lo tanto, el número máximo de VCSEL en una matriz es limitado13, con un ancho de aproximadamente 10 µm12.

Este artículo informa sobre una matriz de puntos 1D espacialmente coherente autoinducida que contiene 14 modos de emisión de superficie de cavidad vertical distribuidos en 47,5 µm utilizando una estructura de cavidad única (ver Fig. 1). También contiene una única abertura rectangular con un espejo superior plano y inferior cilíndrico. Un extremo de la apertura termina con una faceta perpendicular obtenida cortando el chip del dispositivo a lo largo del plano {11-20} de GaN.

(a, b) muestran esquemas de los dispositivos utilizados para el presente estudio. (a) muestra los VCSEL estándar, referenciales, con un espejo curvo en un lado. (b) muestra el VCSEL con una lente cilíndrica investigada en el presente estudio. La distancia entre los espejos superior e inferior es de 20 a 30 µm. El espesor de p-GaN es de aproximadamente 100 nm. El pozo cuántico múltiple (MQW) de InGaN mide aproximadamente 20 nm, incluidas las capas de barrera. Así, el resto de la cavidad está ocupado por n-GaN. Los reflectores distribuidos de Bragg (DBR) de los lados superior e inferior están diseñados para tener una reflectividad del 99,7 % y > 99,9 %, respectivamente. Esos dispositivos se fabrican sobre un plano (0001) de sustrato de GaN. Las direcciones x, y y z del sustrato de GaN son \(\left\langle {{1}{-}{1}00} \right\rangle ,\left\langle {{11}{-} {2}0} \right\rangle ,{\text{ y}}\left\langle {000{1}} \right\rangle\), respectivamente. Los dispositivos fabricados tienen la estructura que se muestra en (b). Por tanto, se introdujo una faceta escindida a lo largo de la línea discontinua. (c, d) son las imágenes del dispositivo que se muestran en (b) con y sin faceta. Se introdujo daño mecánico adicional en la faceta que se muestra en (d) al golpear una sonda para medir. Estos se registran bajo inyección de corriente pulsada por encima del umbral de corriente (RT, 1 µs, 0,1%, 17,7 k/cm2). (e) mostrar esquemas de láseres semiconductores convencionales, láseres de emisión de bordes, VCSEL, PCSEL y el presente.

La Figura 2A muestra el patrón de campo cercano (NFP). Los 14 puntos se distribuyen en 47,5 µm con un intervalo promedio de 3,7 µm. Esos puntos llenaron el lado facetario de la apertura oblonga de 67 µm de ancho. El ancho total de la mitad del máximo (FWHM) en el NFP en la dirección x fue de 2,8 µm. La Figura 2b muestra el patrón de campo lejano del dispositivo, en el que hay dos picos con un FWHM de 0,64° y 0,56° en la dirección y y 5,2° en la dirección x. Los dos picos ocurren a ambos lados de una matriz 1D espacialmente coherente de VCSEL11. Estos patrones, puntos en NFP y picos en el ángulo de emisión no mostraron ningún cambio aparente durante la medición en ningún nivel actual ni en ningún punto de medición dado en este estudio. La Figura 2c muestra la distribución espacial del espectro observado para cada punto. Las posiciones de todos los picos son estables en los 14 puntos. Los tres picos en 443,7, 445,0 y 446,3 nm tienen un intervalo de 1,3 nm. Es equivalente al espaciamiento modal longitudinal estimado con una longitud de cavidad de 26,4 µm19. La longitud de la cavidad se obtuvo mediante análisis de sección transversal (ver Fig. 4c). Indica que el modo láser tiene resonancia en la dirección vertical, es decir, z. La línea continua negra en la Fig. 3a es la curva JV/L del dispositivo con una faceta. Mostró una densidad de corriente umbral (Jth) de 9,0 kA/cm2. Indica que estos 14 puntos actúan como una matriz 1D espacialmente coherente de modos de emisión de superficie de cavidad vertical.

(a – c) son NFP, FFP y distribuciones espaciales, respectivamente, del espectro obtenido para el dispositivo con una faceta; (d – f), respectivamente, son los del dispositivo sin faceta. Los espectros de color verticales son ejes de color de intensidad en escala lineal con unidades arbitrarias, para (a – d).

(a, e) son curvas I – L obtenidas para los dispositivos actuales con y sin faceta, respectivamente. Cada uno contiene una curva VCSEL I – L como referencia para mostrar el umbral. (b, d) son imágenes de NFP obtenidas justo por encima del umbral de corriente sin y con un polarizador en las direcciones x e y de un dispositivo facetado. (f, h) son las de los dispositivos sin facetas. (i) es un esquema que muestra posibles conjuntos de polarización en la estructura de cavidad actualmente propuesta.

La deslocalización se debe principalmente a la introducción de la faceta. Sin la faceta, el modo lateral no produjo puntos coherentes. En cambio, produjo un patrón plano sin rasgos distintivos en el NFP (visto en la Fig. 2d), generando un patrón de campo lejano más amplio (FFP (Fig. 2e) y un espectro sin modos longitudinales claros (Fig. 2f). Los picos agudos en la Fig. 2f existen cerca de los de la Fig. 2c, los picos anchos ocupan la mayor parte de la intensidad óptica observada. Además, la introducción de algún daño mecánico en una faceta en las muestras facetadas perturbó la deslocalización y dejó un patrón caótico localizado (visto en la Fig. 1d). Esto muestra además que la faceta contribuye a la deslocalización del modo. Las Figuras 3a-h muestran el comportamiento de polarización de dispositivos con y sin faceta. Las direcciones de los campos eléctricos en el dispositivo de faceta son perpendiculares a la dirección longitudinal (dirección x) de la apertura. Por el contrario, el dispositivo no facetado se polarizó predominantemente en la dirección y. La propagación horizontal no implicó polarización en la dirección y (perpendicular al lado largo de la apertura). Así, la resonancia vertical en los dispositivos sin facetas nunca podría acoplarse con la propagación horizontal y viceversa. Esto indica además que una faceta podría mejorar el acoplamiento entre las propagaciones vertical y horizontal; consulte la Fig. 3i para obtener una comprensión gráfica. Esto implica que la propagación horizontal actúa como un láser "maestro" en conjuntos de láseres bloqueados por inyección para unir todos los láseres "esclavos", es decir, los puntos en este caso, donde la propagación horizontal arrastra y sincroniza efectivamente las fases de resonancia vertical en el rectángulo. abertura.

Las cavidades con espejos parabólicos curvos y planos permiten una resonancia estable al introducir un confinamiento óptico lateral14. Se ha informado del funcionamiento de VCSEL con dichas cavidades15. El radio de curvatura (ROC) se correlaciona con el ancho del FFP del dispositivo16,17. En el presente estudio, el FWHM del FFP en la dirección correspondiente al eje corto de la lente es de 5,2°, lo que indica que la ROC debe ser de aproximadamente 150 µm. No influye significativamente en el valor de ROC (123 µm) obtenido mediante análisis dimensional (ver Fig. 4a). Esto indica que la luz está confinada por la curvatura en la dirección x de la lente. Elimina la pérdida óptica en esta dirección. Sin embargo, la cuestión de la pérdida óptica en la dirección del eje longitudinal de la lente, donde sólo se observa una parte superior plana (ver Fig. 4b), sigue sin resolverse. Creamos un VCSEL estándar con un espejo curvo18,19,20 como referencia para una mayor consideración. Este dispositivo tenía un espejo curvo con una huella circular en lugar de cilíndrica (ver Fig. 1a). El radio de curvatura del dispositivo de referencia (123 µm) fue igual al de la dirección corta de la lente cilíndrica utilizada en el presente dispositivo. La curva J – L de este dispositivo aparece en la Fig. 3d como una línea discontinua. Sorprendentemente, no hay diferencia aparente en la J de los dispositivos actuales y referenciales. Indica que el presente dispositivo cilíndrico no sufre un aumento de pérdida óptica en la dirección del eje largo incluso si están presentes estructuras planas. Por tanto, la propagación horizontal para sincronizar los modos tiene una potencia óptica insignificante. Debido a que los umbrales de los modos desordenados y ordenados que se muestran en las figuras 2a a e son consistentes, la selección de modos debido a la introducción de facetas no debe deberse a una diferencia en el umbral. Esto respalda aún más la opinión de que la propagación horizontal sincroniza los modos transversales en el dispositivo con la faceta mediante bloqueo por inyección.

(a, b) son perfiles de sección transversal del espejo cilíndrico obtenidos mediante microscopía confocal de barrido láser. (c) es una imagen SEM transversal obtenida de la faceta del dispositivo y muestra que la distancia entre dos DBR es de 26,4 µm.

Los presentes autores también consideran la similitud entre el dispositivo actual y el amplificador de guía de ondas de luz lenta25, donde la apertura oblonga permite una trayectoria de luz en zigzag y deja puntos con un intervalo constante en NFP. Considerando el intervalo de puntos en el presente dispositivo, 3,7 µm, y la longitud de la cavidad vertical, 26,4 µm, el modo en zig-zag en el presente dispositivo podría proporcionar una emisión dominante a ± 4 grados, lo que es consistente con el hecho de que el FFP muestra un pico intensivo. con un intervalo de 7,92 grados (ver Fig. 2b). El espectro de emisión, que se muestra en la Fig. 1c, mostró tres picos dominantes con un intervalo de 1,3 nm, lo que concuerda finamente con la longitud de la cavidad vertical, 26,4 µm, como se mencionó anteriormente. Sorprendentemente, el pico central entre estos tres tiene un hombro romo en el lado derecho, que tiene un intervalo de 1,28 nm con respecto al pico agudo de la derecha, lo que equivale al espaciamiento modal longitudinal estimado para una longitud de cavidad de 26,7 µm, ligeramente más largo que la longitud de la cavidad vertical de 26,4 µm. Este análisis implica que el modo zig-zag podría desempeñar algún papel y combinarse con los modos verticales dominantes.

Finalmente, se consideran las implicaciones del presente estudio. Los láseres semiconductores convencionales como EEL y VCSEL tienen una cavidad de Fabry-Pérot en la que la emisión y la resonancia están en la misma dirección, lo que limita el ancho del haz a micrómetros. La presente estructura tiene un esquema idéntico, en el que la resonancia amplificadora es paralela a la dirección de emisión. La propagación horizontal mejorada por la introducción de la faceta lateral sincroniza los modos y expande drásticamente el ancho del haz, por ejemplo, 47,5 µm, para permitir una emisión estrecha en el rango de 0,5°–0,6°; consulte la Fig. 1e para obtener una comprensión gráfica. Esta estructura podría obtenerse mediante procesos simples y no requiere estructuras complicadas, a diferencia del caso de los PCSEL y los láseres de bloqueo por inyección. Esto sería beneficioso para un uso práctico como sistema compacto para procesamiento láser, lidares de larga distancia, comunicaciones e iluminación.

La cavidad con espejos curvos y planos permite una resonancia estable a pesar de las alteraciones dimensionales, como la inclinación de los espejos provocada por tensiones mecánicas. Esto se debe a que las dimensiones curvadas en rotación cambian la estructura de la cavidad de manera insignificante. En el presente dispositivo, la curvatura puede estabilizar la cavidad contra deformaciones, tales como torsiones menores no observables. Por lo tanto, aunque el tamaño de la matriz está actualmente limitado por la longitud de la apertura, aumentarlo puede permitir matrices espacialmente coherentes más grandes. Además, agregar espejos altamente reflectantes en la cara podría extender la longitud de la matriz de puntos. Quedan espacios para futuras investigaciones. Por ejemplo, investigar cómo se determinan el intervalo y el número de puntos debería ser un tema de investigación sobre este láser. Como se discutió, la propagación horizontal juega un papel importante para estabilizar el comportamiento transversal del dispositivo. Los autores creen que esta extraordinaria y larga cavidad vertical permitió esta propagación horizontal. En los VCSEL convencionales, la cavidad es corta y está llena de estructuras ópticas con perfiles de índice de refracción variables, que impiden que los fotones se propaguen horizontalmente.

Doblar la apertura para formar no un oblongo sino un anillo y obtener una rosquilla medio cortada en forma de dimensión crea una cavidad anular con un patrón de campo lejano de puntos prácticamente circular y un ángulo de emisión significativamente estrecho21. Una cavidad de este tipo se ha investigado con una configuración voluminosa de un metro de ancho y proporciona haces de Bessel con una polarización radial o, a veces, azimutal. Se espera que produzca un punto nítidamente enfocado en lugar del haz más convencional polarizado lineal o circular22 y se utiliza en captura óptica23. La aplicación de una estructura de media dona a los láseres semiconductores permitirá potencialmente un área grande para la inyección de corriente, al tiempo que evitará la parte central del anillo que genera calor, lo que ha causado problemas de gestión del calor con los PCSEL. Esta configuración proporciona simultáneamente una emisión estrecha y de clase supervatio sin problemas de gestión del calor. Esta estructura nunca se ha logrado en láseres semiconductores fabricados monolíticamente.

Una ventaja adicional del presente dispositivo es la independencia de la elección del material. La estructura de la cavidad es independiente del material siempre que el material de la cavidad sea transparente a la longitud de onda de resonancia. Por tanto, esta configuración puede emplear familias de semiconductores como GaAs e InP, óxidos como perovskitas y fósforos y materiales orgánicos. Esto debería permitir además una variedad de longitudes de onda de emisión para una gran cantidad de aplicaciones.

Las Figuras 1A yb muestran la estructura del dispositivo utilizada en el presente estudio. La figura muestra el diseño dimensional detallado de aperturas, capas de ITO, etc. El proceso de fabricación fue el siguiente. Se utilizó la deposición de vapor químico orgánico-metálico (MOCVD) para cultivar tres pozos cuánticos (InGaN/GaN MQW), una capa de p-GaN dopada con Mg (~ 1 × 1019 cm-3) y una capa de contacto fuertemente dopada con Mg. (~ 1 × 1020 cm-3). Se cultivaron hasta un espesor total de aproximadamente 100 nm sobre un sustrato de GaN (0001). Se depositaron sobre la capa de contacto mediante deposición al vacío una capa de ITO de 30 nm de espesor y un DBR del lado p con 8,5 bicapas de Ta2O5/SiO2, con una reflectividad diseñada de aproximadamente el 99,6%19, mediante deposición al vacío en las mismas condiciones experimentales utilizadas en nuestros estudios anteriores18,19. 20. Se grabó un hueco adyacente a la abertura, exponiendo la capa de n-GaN. Se depositaron dos electrodos de Ti/Pt/Au para establecer contacto con la capa de ITO y el n-GaN expuesto, formando una ruta de corriente. Una región de inyección actual fue confinada eléctricamente mediante implantación de boro24. La apertura se puso en contacto con los electrodos ITO y Ti/Pt/Au. Se laminó una oblea hasta un espesor de aproximadamente 20 a 30 µm. Se fotolitografiaron máscaras de resina en la cara traslapada de la oblea de GaN con una orientación de (000–1), como parte del proceso de fabricación dirigido por lentes. Al calentar la muestra a 200 °C, las máscaras de resina se fundieron en gotas para los VCSEL referenciales y en forma cilíndrica para el presentado. Se utilizó grabado con iones reactivos para transferir la forma superficial de la resina fundida al sustrato de GaN eliminándolas como máscaras de sacrificio, que transfieren formas similares de la resina fundida al GaN. Se depositó un DBR del lado n con 14 bicapas de Ta2O5/SiO2, con una reflectividad diseñada > 99,99%19, para formar los espejos curvos y cilíndricos. Finalmente, el dispositivo se cortó en cubitos y se montó en un paquete TO-CAN ⌀9 sin submontajes en la configuración p-up.

La caracterización dimensional de esos espejos deformados se realizó mediante diferentes métodos antes de la deposición de los DBR. Las dimensiones de la sección transversal del espejo curvo se midieron utilizando microscopía de barrido láser confocal (Keyence VK-X1000). La rugosidad de la parte superior de las superficies curvas y planas formadas en el GaN se midió utilizando microscopía de fuerza atómica (AFM; Bruker Dimension Icon). Depositamos DBR con la misma estructura que la del dispositivo en las placas de vidrio BK7 como muestras para medir los espectros de reflectividad de los DBR. Los espectros de reflectividad de estas muestras se midieron utilizando un espectrofotómetro (Hitachi U-4000).

Las mediciones del dispositivo se realizaron con una probeta con acabado empaquetado en un TO-CAN de 9φ. Las muestras TO-CAN se fijaron mediante una plantilla y se llevaron a temperatura ambiente en el laboratorio. En todas las mediciones, se utilizó una fuente de corriente (ILXLightwave LDP-3811) para controlar los VCSEL con una señal de pulso de onda cuadrada con una relación de trabajo del 5 % y un ancho de pulso de 1 µs. Las Figuras 5a a d muestran las configuraciones utilizadas para las mediciones de NFP, FFP, espectro y IV/L, respectivamente. La configuración para la medición de polarización se muestra en la Fig. 5d, como una variación de las mediciones I – V / L. Utilizamos microscopía óptica para registrar la imagen de la muestra bajo inyección actual.

Configuraciones utilizadas en el presente estudio. (a – d) son para la medición de NFP, FFP, espectro e I – V / L. Los detalles se presentan en la sección de método.

Para la medición de NFP (Fig. 5a), la lente 1 (Thorlabs C671TME-405) y la lente 2 (Sigma Koki SLB-30-200PM) están dispuestas de manera que el espaciado entre lentes sea igual a la suma de sus distancias focales. En consecuencia, el sistema elimina cualquier astigmatismo posiblemente causado por la abertura oblonga. La imagen fue capturada en el perfilador de haz (DataRay WinCamD-UCD15-1/1.8").

En la medición de FFP (Fig. 5b), se utilizó un perfilador de haz (Ophir L11059). El diámetro del haz y la distancia entre el VCSEL y el perfilador se definen como d y D, respectivamente. El ángulo de divergencia del FFP de la luz emitida se midió como θ = Tan^− 1(d/D).

La distribución espacial de los espectros de emisión (Fig. 5c) se midió mediante un espectrómetro (Yokogawa AQ6373, resolución = 0,1 nm, sensibilidad = ALTA1) utilizando una fibra óptica (Thorlabs M43L02 105 µm 0,22 NA). Esta configuración proporciona una imagen ampliada 50 veces del NFP al final de la fibra óptica multimodo, lo que permite medir la distribución espacial del espectro estableciendo la ubicación del extremo de la fibra. El conector de la fibra se fija al escenario y se escanea para obtener distribuciones especiales (Fig. 2c, f).

Para mediciones I – V e I – L, la luz de salida es colimada por la lente 1 y luego transmitida a través del polarizador. A continuación, la luz se inyecta en un medidor de potencia (ADCMT 8230 y 82323B) para registrar la potencia óptica. El polarizador está montado en un soporte giratorio que permite controlar el ángulo del polarizador para investigar el comportamiento de polarización del dispositivo (Fig. 3a-e).

Todos los datos generados o analizados durante este estudio se incluyen en este artículo publicado.

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Los autores agradecen a la Sra. Misu y al Dr. Takiguchi por el apoyo experimental y al Dr. Nomoto y al Dr. Kikuchi por las útiles discusiones. Los autores también agradecen enormemente el estímulo y los consejos brindados por el profesor K. Iga y T. Miyamoto para el presente trabajo.

Laboratorio de Tokio 06, Sony Group Corporation, 4-14-1 Atsugi, Kanagawa, Japón

Tatsushi Hamaguchi, Tomohiro Makino, Kentaro Hayashi, Jared A. Kearns, Maho Ohara, Maiko Ito, Noriko Kobayashi, Shouetsu Nagane, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Yukio Hoshina, Tatsurou Jyoukawa, Takumi Watanabe, Yuichiro Kikuchi, Eiji Nakayama, Rintaro Koda y Noriyuki Futagawa

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TH es el investigador principal del proyecto de investigación y formuló la idea de investigación para el presente manuscrito. TM evaluó las muestras empaquetadas. JK, que pertenece a Leia Inc. en la fecha de presentación del manuscrito, contribuyó a la comprensión teórica de los modos del presente dispositivo. HK desarrolló el proceso para fabricar lentes cilíndricas y lo llevó a cabo con MO, MI, NK, KS, YN, TJ, SN, TW, YK y YH. Este equipo interdepartamental en Sony Corporation estaba dirigido por EN, RK y NF.

Correspondencia a Tatsushi Hamaguchi.

Este estudio se lleva a cabo como parte de la actividad de investigación de Sony Group Corporation. Los autores declaran que no existen otros intereses en competencia.

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Reimpresiones y permisos

Hamaguchi, T., Makino, T., Hayashi, K. et al. Coherencia espacial implementada espontáneamente en una matriz de puntos láser emisores de superficie de cavidad vertical. Informe científico 12, 21629 (2022). https://doi.org/10.1038/s41598-022-26257-0

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Recibido: 26 de agosto de 2022

Aceptado: 13 de diciembre de 2022

Publicado: 14 de diciembre de 2022

DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-26257-0

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